Показан новый способ изготовления оптоволокна со встроенными полупроводниковыми приборами

CompuLenta, 21 февраля 2012 года, Дмитрий Сафин

Сотрудники Университета штата Пенсильвания (США) и Саутгемптонского университета (Великобритания) показали, как можно создавать полупроводниковые приборы внутри оптоволокна. Первые опыты такого рода, напомним, были проведены в Массачусетском технологическом институте около года назад. Участники тех экспериментов формировали волокно путём вытягивания, предварительно проделав в «толстой» полимерной заготовке небольшие отверстия и вставив в них провода из олова и цинка, покрытые тонким слоем сульфида селена. По мере вытягивания в объёме заготовки появлялись наноразмерные домены селенида цинка, и в результате были получены распределённые по длине волокна полупроводниковые диоды.

( Читать дальше )